基于傾斜旋轉(zhuǎn)方法磁控濺射制備TSV阻擋層

摘要： 硅通孔(TSV)是實現(xiàn)三維集成的關鍵技術，在TSV側(cè)壁制備連續(xù)和均勻的阻擋層至關重要。提出了一種磁控濺射制備TSV側(cè)壁阻擋層的方法，將濺射基臺傾斜一定角度并水平勻速旋轉(zhuǎn)，使濺射離子的掉落方向與TSV側(cè)壁不平行，靶材離子更容易濺射沉積在TSV側(cè)壁，使得TSV側(cè)壁都能被濺射到，更有利于制備連續(xù)和均勻的阻擋層。使用Ti靶進行直流磁控濺射，優(yōu)化濺射電流和濺射氣壓，通過掃描電子顯微鏡(S... （共6頁）