MEMS光敏BCB硅—硅鍵合工藝研究

摘要： 光敏BCB作為粘結(jié)介質(zhì)進(jìn)行鍵合工藝實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)中選用XUS35078負(fù)性光敏BCB,提出了優(yōu)化的光刻工藝參數(shù),得到了所需要的BCB圖形層,然后將兩硅片在特定的溫度與壓力條件下完成了BCB鍵合。測試表明:該光敏BCB具有較小的流動性和較低的塌陷率。鍵合后的BCB膠厚約為11.6μm,剪切強(qiáng)度為18MPa,He細(xì)檢漏率小于5.0×10-8atm·cm3/s。此鍵合工藝可應(yīng)用于制作需要低溫工藝且不能承受高電壓的MEMS器件。 （共4頁）