InAs(001)吸附表面的不可逆重構(gòu)相變研究

摘要： 對吸附了大量As的InAs(001)樣品進行升降溫熱處理,發(fā)現(xiàn)在485℃時表面有從(3×1)重構(gòu)到(2×4)重構(gòu)的不可逆轉(zhuǎn)變現(xiàn)象。利用掃描隧道顯微鏡對(3×1)重構(gòu)表面分析,結(jié)果表明大量常溫吸附的As從表面脫附使InAs(001)(2×4)重構(gòu)表面最頂層的As dimer也一起脫離表面,(3×1)重構(gòu)表面實際上是由20%的富As(2×4)重構(gòu)區(qū)域與80%的富In(4×2)重構(gòu)區(qū)域組成。不可逆相變是由于As束流提供的As4原子團吸附到富In區(qū)域,使樣品表面恢復到(2×4)重構(gòu)相,而(2×4)重構(gòu)相能在390~490℃溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定存在。 （共4頁）