太赫茲波化合物半導體材料研究進展

摘要： 繼微波、毫米波技術(shù)之后,太赫茲(THz)波技術(shù)已被證實在下一代探測與通信領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。作為微波、毫米波芯片襯底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,正逐漸成為太赫茲單片集成電路(TMIC)材料科學的研究熱點。本文介紹了以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)為代表的化合物半導體材料在TMIC制造領(lǐng)域的研究與應(yīng)用進展,分析了國內(nèi)外研究現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢。 （共14頁）