MOSFET輸出電容對CLLLC諧振變換器模型的優(yōu)化

摘要： 在CLLLC諧振變換器基波等效建模方法中，未慮及變壓器二次電流為零及死區(qū)時間內(nèi)MOSFET輸出電容對輸出側(cè)H橋橋臂中點電壓的影響，當(dāng)開關(guān)頻率低于諧振頻率（欠諧振）時，變換器輸出側(cè)H橋橋臂中點電壓模型的準(zhǔn)確性有待進一步提高。該文通過解析變換器欠諧振區(qū)域模型準(zhǔn)確度較低的成因，得到變壓器二次電流為零及死區(qū)時間內(nèi)MOSFET輸出電容電壓方程，對基波等效建模方法進行了更為深入的研究，提出... （共11頁）