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納米顆粒對(duì)背面照射半透明超薄Cu(In,Ga)Se2太陽(yáng)能電池電學(xué)性能的影響

硅酸鹽通報(bào) 頁(yè)數(shù)： 10 2024-09-12
摘要： 本文使用太陽(yáng)能電池電容模擬中器(SCAPS-1D)和COMSOL Multiphysics軟件研究了SiO2納米顆粒對(duì)半透明超薄Cu(In,Ga)Se2(CIGSe)太陽(yáng)能電池電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,背面照射時(shí),CIGSe/透明導(dǎo)電氧化物(TCO)背界面附近會(huì)產(chǎn)生大量的光生載流子,導(dǎo)致光生電子的背復(fù)合對(duì)電池性能的影響非常顯著。高背復(fù)合速率(S_b=1.0×10~7cm/s... （共10頁(yè)）

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