多場耦合侵蝕下環(huán)保Ag/Ti2SnC復(fù)合電接觸材料的微/納米力學(xué)行為及微結(jié)構(gòu)演變
摘要: 實(shí)際服役過程中低壓開關(guān)的過早失效主要?dú)w因于電弧侵蝕,因此闡明材料微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能退化及電弧侵蝕機(jī)理對(duì)進(jìn)一步開發(fā)環(huán)保MAX相增強(qiáng)銀基復(fù)合電接觸材料進(jìn)而推動(dòng)低壓開關(guān)材料更新?lián)Q代具有重要意義。本工作沿Ag/Ti
2SnC電觸頭橫截面從電弧侵蝕層到近電弧侵蝕層再到基體內(nèi)部依次進(jìn)行了微/納米壓痕實(shí)驗(yàn),分析對(duì)比了不同區(qū)域顯微硬度、納米硬度、彈性模量、蠕變以及塑性/彈性性能沿電弧侵蝕方向的... (共15頁)
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