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28 nm體硅工藝FPGA BRAM脈沖激光試驗(yàn)及翻轉(zhuǎn)特性

空間科學(xué)學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 8 2024-11-15
摘要： 針對(duì)SRAM型FPGA內(nèi)部BRAM在軌出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)錯(cuò)誤以及如何有效進(jìn)行容錯(cuò)設(shè)計(jì)的問(wèn)題,提出了測(cè)試BRAM空間單粒子效應(yīng)和多位翻轉(zhuǎn)圖樣的方法.多位翻轉(zhuǎn)圖樣可以表征單次單粒子事件導(dǎo)致的BRAM中相鄰單元的翻轉(zhuǎn)特征,進(jìn)而用于分析邏輯字內(nèi)是否存在多位翻轉(zhuǎn).以XC7K410T-FFG900為研究對(duì)象,分析其內(nèi)部資源的組織結(jié)構(gòu),采用脈沖激光試驗(yàn)測(cè)試BRAM的翻轉(zhuǎn)特性.通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得FPGA內(nèi)BR... （共8頁(yè)）

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