高質(zhì)量銦摻雜氧化鎵單晶浮區(qū)法生長研究

摘要： Ga₂O₃是一種新型超寬帶隙半導(dǎo)體材料,性能出色,在高功率電子器件和日盲深紫外探測器等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。通過摻入In³⁺離子,可以調(diào)節(jié)β-Ga₂O₃的帶隙寬度和光學(xué)性質(zhì),從而進一步拓展其應(yīng)用范圍。本研究以高純度Ga₂O₃、In₂O₃為原料,采用光學(xué)浮區(qū)法制備了β-Ga₂O₃:9%In、β-Ga₂O₃:15%In單晶。生長速度為5 mm/h時,... （共7頁）