質(zhì)子輻照誘發(fā)CCD片上放大器單管性能退化實驗與仿真研究

摘要： 輻照誘發(fā)電荷耦合器件（CCD）圖像傳感器性能退化與CCD片上放大器中的金屬氧化物半導體（MOS）管性能退化密切相關。本文以國產(chǎn)CCD片上放大器中的MOS管為研究對象，開展了3種不同注量的質(zhì)子輻照實驗，測試了輻照前后性能參數(shù)的退化規(guī)律。采用SENTAURUS TCAD軟件建立了CCD片上放大器中MOS管的工藝模型，在SiO₂層引入固定正電荷，在Si/SiO₂界面處引入界面態(tài)進... （共7頁）