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玻璃表面中頻磁控濺射制備氮化鋁薄膜的晶面擇優(yōu)取向調控

真空科學與技術學報 頁數(shù): 9 2024-09-02
摘要: 氮化鋁(AlN)是一種性能優(yōu)異的陶瓷材料,在微電子、電子元件、高頻寬帶通信以及功率半導體器件等領域有廣泛應用,然而AlN薄膜的一些特性具有顯著的各向異性。因此,調控AlN薄膜的擇優(yōu)取向一直備受科研工作者的關注。文章利用中頻反應磁控濺射在玻璃基片上制備AlN薄膜,研究了氮分壓、濺射功率以及基片溫度對AlN薄膜特性的影響。結果發(fā)現(xiàn),適合制備擇優(yōu)取向AlN薄膜的條件是低氣壓和200℃... (共9頁)

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