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氮化硅晶須骨架增強(qiáng)環(huán)氧復(fù)合材料導(dǎo)熱與介電性能

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 10 2024-05-07
摘要： 含有高導(dǎo)熱系數(shù)的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料在電子封裝和電氣設(shè)備領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，但復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的提升往往伴隨介電性能的劣化。該文旨在解決環(huán)氧復(fù)合材料熱性能與介電性能之間的矛盾。以氮化硅晶須(Si3N_(4w))和氣相二氧化硅(SiO2)為原料，通過(guò)改進(jìn)后的聚苯乙烯(polystyrene,PS)模板法制備得到堅(jiān)固、多孔且絕緣的Si3N_(4w)骨架，在真空浸漬后得到環(huán)氧復(fù)... （共10頁(yè)）

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