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基于石墨烯/硫化鉛量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)的窄帶光電探測(cè)器

半導(dǎo)體技術(shù) 頁(yè)數(shù)： 7 2024-10-25
摘要： 納米材料硫化鉛量子點(diǎn)(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可調(diào)的帶隙，被視為短波紅外(SWIR)光電探測(cè)器的重要候選材料。將鹵素配體置換的PbS QD薄膜與單層石墨烯結(jié)合制備了石墨烯/硫化鉛量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器。采用液相配體交換技術(shù)結(jié)合單步旋涂工藝，實(shí)現(xiàn)了PbS QD薄膜的均勻沉積。該技術(shù)不僅減少了缺陷態(tài)的產(chǎn)生，而且通過(guò)單步旋涂工藝能夠?qū)崿F(xiàn)所需薄膜厚度的快速沉積，簡(jiǎn)化了器件制備... （共7頁(yè)）

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