6英寸Si C基Ga NHEMT背孔刻蝕技術(shù)研究

摘要： 6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC基GaN晶圓減薄后翹曲和總厚度變化(TTV)較大，給背孔刻蝕工藝帶來了極大的挑戰(zhàn)。以SF₆和O₂為刻蝕氣體，通過研究氣體流量及流量配比、腔體壓力、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)功率、偏置功率等參數(shù)對SiC刻蝕速率和SiC對GaN選擇比的影響，提出了針對SiC的兩段式刻蝕方法。其中，主刻蝕階段以超過0.8μm/min的刻蝕速率完成大部分SiC... （共8頁）