氧化鉿基鐵電薄膜的研究進(jìn)展

摘要： 氧化鉿(HfO₂)基鐵電薄膜擁有穩(wěn)定、獨(dú)特的鐵電極化，且與CMOS集成電路制造工藝的高度兼容性，成為下一代高密度、非易失性鐵電存儲(chǔ)器的重要候選材料，因而備受關(guān)注。首先探討了HfO₂基鐵電薄膜的不同制備方法，分析了脈沖激光沉積法、磁控濺射法、原子層沉積法等制備方法的特點(diǎn)。其次，闡述了退火處理、喚醒效應(yīng)、底電極等因素對(duì)該類薄膜鐵電性的影響，并對(duì)其鐵電性的起源進(jìn)行了介紹。此外，總... （共11頁(yè)）