兩步燒結(jié)法對(duì)AlN原料提純工藝的研究

摘要： 氮化鋁（AlN）晶體作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一，具有大的禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異性質(zhì)，在深紫外光電器件和大功率電子器件等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。在氮化鋁晶體的生長(zhǎng)過(guò)程中，AlN原料中的O、C含量過(guò)高導(dǎo)致晶體內(nèi)部缺陷濃度過(guò)高或者生長(zhǎng)多晶，從而會(huì)影響生長(zhǎng)后的AlN單晶質(zhì)量。該研究提出一種兩步燒結(jié)工藝對(duì)AlN原料進(jìn)行提純，并使用掃描電子顯微鏡（SEM），氧氮?dú)錃怏w分析... （共6頁(yè)）