大尺寸直拉法單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中晶體缺陷的研究進(jìn)展

摘要： 太陽(yáng)能光伏發(fā)電的碳排放量?jī)H占化石能源發(fā)電的1/20～1/10,是實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的必然選擇和有效途徑。隨著光伏裝機(jī)規(guī)模的持續(xù)增加和太陽(yáng)能電池效率的不斷提高，相關(guān)行業(yè)對(duì)單晶硅片向著低成本、大尺寸、高品質(zhì)的發(fā)展提出了更高的要求。然而，硅片的大尺寸化帶來(lái)的傳熱傳質(zhì)不均以及晶體缺陷等問(wèn)題是影響硅片電學(xué)性能的重要因素。本綜述對(duì)直拉法單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中缺陷的種類、生長(zhǎng)機(jī)理以及氮、磷、硼、碳摻... （共9頁(yè)）