NAND閃存存儲系統(tǒng)中的LDPC碼優(yōu)化設(shè)計

摘要： 面對日益增長的大容量需求, NAND閃存技術(shù)不斷進步并實現(xiàn)了一系列突破,然而,存儲密度的不斷提升也極大程度削弱了NAND閃存系統(tǒng)的抗干擾能力.因此,針對NAND閃存存儲系統(tǒng)中的差錯控制碼進行優(yōu)化設(shè)計成為一個重要課題.本文首先對NAND閃存存儲系統(tǒng)中的干擾源進行了全面分析,考慮到存儲單元閾值電壓的非對稱非高斯特性,采用修正Student’s t分布對其建模.此外,考慮了實際NAN... （共15頁）