氮化鎵基單片功率集成技術

摘要： 寬禁帶、高臨界擊穿電場和高飽和電子速度的材料優(yōu)越性，以及鋁鎵氮/氮化鎵（Al GaN/GaN）異質結能通過極化不連續(xù)性在其界面極化誘導出具有高濃度、高遷移率的二維電子氣并制備出高電子遷移率晶體管，使氮化鎵器件正成為下一代功率和射頻應用領域的新型高性能電子器件。氮化鎵基單片功率集成技術是減小寄生電感影響、提升集成電路開關速度、降低系統(tǒng)功耗和實現系統(tǒng)小型化的關鍵技術。該文圍繞氮化鎵... （共13頁）