熱中子屏蔽性能測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)優(yōu)化及影響因素分析
摘要: 材料熱中子屏蔽性能測(cè)試是評(píng)價(jià)新型中子屏蔽材料屏蔽性能的重要手段,并為材料的改進(jìn)和應(yīng)用提供重要指導(dǎo),在中子輻射屏蔽領(lǐng)域具有重要的研究意義。目前,基于同位素中子源的純熱中子場(chǎng)不易獲得,而常用的熱中子探測(cè)器能量響應(yīng)范圍較寬,導(dǎo)致材料的熱中子屏蔽性能測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性較差。針對(duì)此問題,提出一種基于“鎘差法”的熱中子屏蔽性能方法并建立相應(yīng)的測(cè)試平臺(tái)。該平臺(tái)基于252Cf同位素中子源與3He... (共12頁)
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