GaAs基近紅外錐形半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展

摘要： 基于GaAs襯底的近紅外波段半導(dǎo)體激光器已經(jīng)取得了顯著的發(fā)展。在大功率研究方面，因?yàn)榭梢酝瑫r(shí)實(shí)現(xiàn)高功率、高光束質(zhì)量的優(yōu)良特性，主振蕩功率放大器結(jié)構(gòu)的錐形半導(dǎo)體激光器成為了廣受關(guān)注的研究熱點(diǎn)。歸納了近年來(lái)國(guó)內(nèi)外關(guān)于GaAs基錐形激光器的代表性研究成果，討論了激光器器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(包括脊形區(qū)、錐形區(qū)以及布喇格光柵等的設(shè)計(jì))和外延層優(yōu)化在理論研究及實(shí)驗(yàn)方面取得的進(jìn)展；圍繞高功率、高光束... （共10頁(yè)）