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側(cè)向選區(qū)異質(zhì)外延絕緣體上硅的Ⅲ-Ⅴ族有源器件（特邀）

激光與光電子學(xué)進(jìn)展 頁(yè)數(shù)： 7 2024-10-10
摘要： Ⅲ-Ⅴ族有源器件及其與無(wú)源器件的高效耦合集成是硅光子技術(shù)得以進(jìn)一步發(fā)展的核心。將高性能的Ⅲ-Ⅴ族有源器件通過(guò)異質(zhì)外延集成在硅片上，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)硅光子集成電路，從而以低成本、高通量、大帶寬和大規(guī)模集成來(lái)充分發(fā)揮硅光子的優(yōu)勢(shì)。從側(cè)向選區(qū)外延硅基Ⅲ-Ⅴ族有源器件方面展開(kāi)，重點(diǎn)介紹硅基Ⅲ-Ⅴ族激光器和光電探測(cè)器的實(shí)現(xiàn)及其與硅無(wú)源器件的共平面高效光耦合。討論其無(wú)緩沖層、面內(nèi)結(jié)構(gòu)、橫向堆... （共7頁(yè)）

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