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基于In2Se3的硅基波導(dǎo)型光開關(guān)研究（特邀）

激光與光電子學(xué)進(jìn)展 頁(yè)數(shù)： 11 2024-09-19
摘要： 基于相變材料的硅基光開關(guān)為傳統(tǒng)光開關(guān)技術(shù)所面臨的能耗高和體積大等問題提供了解決途徑。然而傳統(tǒng)光學(xué)相變材料的高吸收特性對(duì)光開關(guān)陣列的集成規(guī)模帶來(lái)了一定的限制。In2Se3材料憑借其近紅外透明、可在單晶態(tài)間進(jìn)行可逆相變且低結(jié)構(gòu)熵的特性，有望為高速、穩(wěn)定和低功耗的光開關(guān)技術(shù)帶來(lái)突破。本文提出了一種基于In2Se3及硅波導(dǎo)的非易失性光開關(guān)，該器件由硅波導(dǎo)及Si-In2Se3... （共11頁(yè)）

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