退火對TSV電鍍銅膜層性能影響研究

摘要： 針對硅通孔（TSV）高深寬比微孔電鍍填銅后結(jié)晶細小，后續(xù)制程經(jīng)歷高溫過程可能導(dǎo)致晶界間缺陷的問題，對TSV電鍍銅膜層退火后性能變化進行了研究?？疾炝送嘶饻囟群蜕郎厮俾实韧嘶饤l件對晶粒晶面取向、晶粒大小、晶界間空洞以及雜質(zhì)含量等膜層性能的影響，確定了較優(yōu)的退火工藝參數(shù)為升溫速率10℃/min,400℃下保溫2 h。結(jié)果表明：此較優(yōu)的高溫退火條件下，XRD顯示主晶面擇優(yōu)取向為Cu(... （共8頁）