L波段硅基多層堆疊MEMS耦合器
摘要: 基于射頻傳輸理論設計并制備了一款Si基多層堆疊微電子機械系統(tǒng)(MEMS)耦合器。該耦合器以高阻硅作為襯底材料,采用高精度三維MEMS加工工藝制備而成。利用電磁仿真軟件進行了建模仿真,并經(jīng)過金屬圖形化、硅基通孔(TSV)、晶圓減薄、晶圓鍵合等MEMS工藝完成器件制備。采用三層硅片進行堆疊,信號傳輸時,通過上下兩層金屬的層間距離對耦合度進行調整,相比常規(guī)的平面耦合具有更小的橫向尺寸... (共6頁)
開通會員,享受整站包年服務