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多層硅基模塊晶圓級鍵合腔體的可靠性

半導(dǎo)體技術(shù) 頁數(shù): 8 2024-07-03
摘要: 晶圓級鍵合是實現(xiàn)多層硅基模塊內(nèi)部互連的關(guān)鍵工藝,針對硅片在晶圓級鍵合工藝中的開裂現(xiàn)象,建立了硅基刻蝕腔體在鍵合工藝中的力學(xué)模型,經(jīng)樣件實驗驗證,該模型可以準(zhǔn)確預(yù)估腔體的開裂現(xiàn)象。在此基礎(chǔ)上設(shè)計了硅片鍵合實驗,通過引入硅通孔(TSV)的應(yīng)力集中因子確定了硅基晶圓級鍵合的應(yīng)力失效判據(jù)。而后通過參數(shù)化仿真系統(tǒng)性探究了硅基刻蝕腔體面積及腔體形狀等因素對鍵合應(yīng)力的影響規(guī)律,并繪制出刻蝕腔... (共8頁)

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