超導(dǎo)量子芯片硅穿孔填充技術(shù)

摘要： 超導(dǎo)量子計(jì)算是目前最有可能實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用的量子計(jì)算方案之一，多層堆疊是實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)量子比特大規(guī)模擴(kuò)展的最佳方案。介紹了超導(dǎo)量子芯片中硅穿孔（TSV）填充工藝的特點(diǎn)并匯總概括了當(dāng)前超導(dǎo)TSV填充技術(shù)。以電鍍和金屬熔融填充為代表的完全填充工藝具有器件可靠性高、工藝復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)，但與半導(dǎo)體技術(shù)兼容性較差；以物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積和快速原子連續(xù)沉積技術(shù)為代表的部分填充工藝，... （共8頁(yè)）