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固體電子學研究與進展(2024年05期)
Research & Progress of SSE
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- 基本信息
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:南京電子器件研究所(中電科技集團公司第55所)
:雙月
:1000-3819
- 出版信息
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: 信息科技
: 無線電電子學
:4488篇
- 評價信息
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:0.393
:0.237
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目 錄
- 太赫茲間隙波導徑向功率合成技術研究
- 基于101.6 mm晶圓35 nm InP HEMT工藝的340 GHz低噪聲放大器芯片研制
- 截止頻率1.2 THz的GaN肖特基二極管及其三倍頻單片集成電路
- 基于太赫茲單片集成電路的560 GHz次諧波混頻器設計
- 基于GaAs肖特基二極管單片集成技術的330~400 GHz三倍頻器
- 大規(guī)模太赫茲相控陣技術的瓶頸與進展
- 太赫茲相控陣系統(tǒng)設計研究進展
- 太赫茲GaN SBD外延材料的應力調(diào)控及低缺陷密度控制技術研究
- 一款全定制深亞微米抗輻照LDO的版圖設計
- 應用于TDC電路的低相噪電荷泵鎖相環(huán)
- 具有寬電源電壓的CMOS電壓基準設計
- L/S頻段一體化高集成SiP模塊設計
- 基于DRIE的太赫茲行波管硅基低損耗慢波結(jié)構工藝技術研究
- 硅基太赫茲發(fā)射機集成電路研究進展
- 連續(xù)域束縛態(tài)賦能的太赫茲超表面:從機理到應用
- 主題:碳基電子器件及應用
- 基于鋁鎵砷微環(huán)諧振腔的集成量子頻率梳