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微電子學(xué)(2024年02期)
Microelectronics
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- 基本信息
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：四川固體電路研究所
：雙月
：1004-3365
- 出版信息
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： 信息科技
： 無(wú)線電電子學(xué)
：6992篇
- 評(píng)價(jià)信息
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：0.774
：0.438
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目 錄
- 一種基于分段電阻的低功耗電流舵DAC
- 一種6倍無(wú)源增益低OSR低功耗的二階NS SAR ADC
- 一種應(yīng)用于音頻的可重構(gòu)Σ-Δ連續(xù)時(shí)間調(diào)制器
- 一種5.0～9.3 GHz低功耗寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)
- 一種新型噪聲消除寬帶低噪聲放大器
- 80 Gbit/s PAM4光接收機(jī)低噪聲模擬前端電路設(shè)計(jì)
- 一種襯底波紋注入的寬頻帶高PSR無(wú)片外電容LDO
- 一種低靜態(tài)電流高瞬態(tài)響應(yīng)無(wú)片外電容LDO設(shè)計(jì)
- 一種高PSR低靜態(tài)電流LDO設(shè)計(jì)
- 一種同步流水線SRAM讀寫控制模型
- 56 Gbit/s低功耗分?jǐn)?shù)間隔FFE PAM4 SerDes發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)
- 基于BJT特性的數(shù)字溫度傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
- 基于硅橋芯片互連的芯粒集成技術(shù)研究進(jìn)展
- Cu/Co阻擋層中復(fù)配緩蝕劑緩蝕機(jī)理與研究進(jìn)展
- 一種注入增強(qiáng)型快速SOI-LIGBT新結(jié)構(gòu)研究
- 一種p-GaN HEMTs柵電荷表征方法
- 一種考慮復(fù)合電流的SiC LBJT行為模型改進(jìn)
- 非對(duì)稱電阻場(chǎng)板場(chǎng)效應(yīng)器件擊穿特性仿真分析
- 3D封裝玻璃通孔高頻特性分析與優(yōu)化
- 高溫高壓應(yīng)用環(huán)境下陶瓷外殼設(shè)計(jì)加工及可靠性評(píng)估
- LCCC封裝器件熱疲勞失效分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究
- 一種高速A/D轉(zhuǎn)換器時(shí)域重構(gòu)技術(shù)研究
- 超高速數(shù)據(jù)采集及分析平臺(tái)的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
- 環(huán)境溫度對(duì)HfO2鐵電存儲(chǔ)器的質(zhì)子輻照效應(yīng)影響研究
- 一種針對(duì)FPGA位流的自動(dòng)化故障注入分析方法
- 一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持特性建模及分析
- 小型化高隔離度射頻濾波模組設(shè)計(jì)研究
