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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展(2024年04期)
Research & Progress of SSE

  • 基本信息
  • 南京電子器件研究所

    雙月

    1000-3819

  • 32-1110/TN

    江蘇省南京市

    中文;

    大16開

    1981

  • 出版信息
  • 信息科技

    無線電電子學(xué)

    4803篇

  • 686984次

    13028次

  • 評價(jià)信息
  • 0.588

    0.394

  • CA 化學(xué)文摘(美)(2024)

    JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)(2024)

    WJCI 科技期刊世界影響力指數(shù)報(bào)告(2023)來源期刊

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版

    中科雙效期刊;

目 錄

  • 一款基于非線性模型設(shè)計(jì)的高性能GaN功率放大載片
  • 一種本征端口開放非線性模式可調(diào)的GaN HEMT模型
  • 一種具有高ESD泄放電流的AlGaN/GaN HEMT器件
  • 基于石英薄膜工藝的D波段固定衰減器設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
  • 基于耦合線和復(fù)阻抗拓?fù)涞膶拵ЧΨ蛛娐吩O(shè)計(jì)
  • 基于遺傳算法的雙頻共孔徑稀疏天線陣列
  • GaN收發(fā)多功能芯片在片集成測試優(yōu)化
  • 改進(jìn)的電阻型DAC數(shù)字校準(zhǔn)算法
  • 一種應(yīng)用于I/O組的高性能LVDS驅(qū)動(dòng)器
  • 基于全自旋邏輯器件的五輸入擇少邏輯門設(shè)計(jì)
  • 基于電路模擬的集成電路失效機(jī)理研究
  • 金屬互連及其濕電子化學(xué)品的發(fā)展研究
  • LDD MOSFET熱載流子退化分析及其壽命預(yù)測
  • SiC光導(dǎo)開關(guān)歐姆接觸制備與性能研究
  • 浮柵和高壓柵極共摻在EEPROM中的應(yīng)用研究
  • 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》專欄征稿 主題:固態(tài)太赫茲器件及應(yīng)用
  • 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》專欄征稿 主題:碳基電子器件及應(yīng)用
  • 征稿啟事
  • 基于硅基晶圓級封裝模組技術(shù)的W波段T/R組件
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