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半導(dǎo)體技術(shù)(2024年04期)
Semiconductor Technology

  • 基本信息
  • 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

    月刊

    1003-353X

  • 13-1109/TN

    河北省石家莊市

    中文;

    大16開

    18-65

    1976

  • 出版信息
  • 信息科技

    無(wú)線電電子學(xué)

    8858篇

  • 1723991次

    34868次

  • 評(píng)價(jià)信息
  • 0.701

    0.402

  • CA 化學(xué)文摘(美)(2024)

    INSPEC 科學(xué)文摘(英)(2024)

    JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)(2024)

    Pж(AJ) 文摘雜志(俄)(2020)

    WJCI 科技期刊世界影響力指數(shù)報(bào)告(2023)來(lái)源期刊

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版,2023年版

    Caj-cd規(guī)范獲獎(jiǎng)期刊;

目 錄

  • 不同介電層對(duì)Hf_xZr_(1-x)O2薄膜鐵電性能影響的研究進(jìn)展
  • 基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法
  • 復(fù)合磨料的制備及其對(duì)層間介質(zhì)CMP性能的影響
  • IGBT器件級(jí)物理模型的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)及在環(huán)驗(yàn)證
  • 基于阻變存儲(chǔ)器的物理不可克隆函數(shù)設(shè)計(jì)
  • 一種具有紋波消除技術(shù)的10 bit SAR ADC
  • 一種V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
  • 用于射頻能量收集的低閾值CMOS整流電路設(shè)計(jì)
  • 基于注意力機(jī)制的CNN-BiLSTM的IGBT剩余使用壽命預(yù)測(cè)
  • GaN功率放大器MMIC的近結(jié)區(qū)熱阻解析模型
  • 基于流固物理場(chǎng)的電機(jī)逆變器功率模塊散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)
  • 1700 V精細(xì)溝槽柵IGBT器件設(shè)計(jì)
  • 第十七屆中國(guó)微納電子技術(shù)交流與學(xué)術(shù)研討會(huì)暨2024年微納電子產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇會(huì)議通知
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