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半導(dǎo)體技術(shù)(2024年04期)
Semiconductor Technology
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- 基本信息
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:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
:月刊
:1003-353X
- 出版信息
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: 信息科技
: 無(wú)線電電子學(xué)
:8858篇
- 評(píng)價(jià)信息
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:0.701
:0.402
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目 錄
- 不同介電層對(duì)Hf_xZr_(1-x)O2薄膜鐵電性能影響的研究進(jìn)展
- 基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法
- 復(fù)合磨料的制備及其對(duì)層間介質(zhì)CMP性能的影響
- IGBT器件級(jí)物理模型的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)及在環(huán)驗(yàn)證
- 基于阻變存儲(chǔ)器的物理不可克隆函數(shù)設(shè)計(jì)
- 一種具有紋波消除技術(shù)的10 bit SAR ADC
- 一種V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
- 用于射頻能量收集的低閾值CMOS整流電路設(shè)計(jì)
- 基于注意力機(jī)制的CNN-BiLSTM的IGBT剩余使用壽命預(yù)測(cè)
- GaN功率放大器MMIC的近結(jié)區(qū)熱阻解析模型
- 基于流固物理場(chǎng)的電機(jī)逆變器功率模塊散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)
- 1700 V精細(xì)溝槽柵IGBT器件設(shè)計(jì)
- 第十七屆中國(guó)微納電子技術(shù)交流與學(xué)術(shù)研討會(huì)暨2024年微納電子產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇會(huì)議通知