人工晶體學(xué)報(2011年02期)
Journal of Synthetic Crystals

目 錄

• 非線性光學(xué)晶體BaAlBO_3F_2的生長與缺陷研究
• 大尺寸Nd~(3+):GGG激光晶體的單胞參數(shù)計算和組分分析
• AgGa_(1-x)In_xSe_2晶體熱處理研究
• 太赫茲聲子極化激元在LiNbO_3微結(jié)構(gòu)中的衍射和干涉動態(tài)過程的時間分辨成像
• 不同溫度下碲銦汞晶體結(jié)構(gòu)的XRD研究
• 坩堝下降法生長弛豫鐵電晶體PIMNT的單晶性表征
• 大尺寸KDP晶體切削開裂效應(yīng)數(shù)值模擬分析研究
• 銅單晶的定向方法研究
• 弛豫鐵電晶體PZNT(001)晶面的腐蝕行為
• 福建物構(gòu)所中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料結(jié)構(gòu)設(shè)計取得突破
• 輝光功率對n型a-Si:H薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
• 鎢酸鉛閃爍晶體垂直梯度凝固法生長及光學(xué)性能研究
• 溫度梯度法BaY_2F_8晶體生長中的小面研究
• 快速制備單晶Si片絨面的研究
• 硅片加工表面層損傷檢測技術(shù)的試驗研究
• 單晶TiO_2納米線束陣列的水熱合成及場發(fā)射性能研究
• 退火時間對鋁誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化過程的影響
• Nd~(3+)摻雜Lu_2O_3透明陶瓷的制備和光學(xué)性能
• 多晶硅將實現(xiàn)自給
• 卷對卷技術(shù)制備大面積柔性CIGS薄膜太陽電池吸收層
• 石英諧振器在強磁場中的磁-敏特性
• 蘭州化物所多尺度強韌化類金剛石碳基薄膜研究與應(yīng)用取得進(jìn)展
• 光照對BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜鐵電和輸運性質(zhì)的影響
• Sr_3NbGa_3Si_2O_(14)和Sr_3TaGa_3Si_2O_(14)壓電晶體的聲表面波特性研究
• 水熱反應(yīng)條件對氫氧化鎂晶體微觀內(nèi)應(yīng)變的影響
• 基于負(fù)折射率材料一維光子晶體可調(diào)節(jié)的頻率和方向濾波器
• 新疆理化所鋰離子電池正極材料磷酸鐵鋰的研制獲進(jìn)展
• Cd_(1-x)Zn_xS納米梳狀結(jié)構(gòu)的合成與光學(xué)特性研究
• 靜電場對V型火焰法中碳納米管定向生長的影響
• 襯底溫度對In_2S_3薄膜結(jié)構(gòu)及其性能的影響
• 石英晶體堿(KOH)腐蝕像及其與酸(HF)腐蝕像對比研究
• 福建物構(gòu)所硫?qū)偌t外非線性光學(xué)化合物研究獲進(jìn)展
• Fe摻雜CoSb_3化合物的熱電性能及電子結(jié)構(gòu)研究
• 射頻反應(yīng)磁控濺射制備ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能
• 混料方法對注凝成型超細(xì)氧化鋯陶瓷的影響
• L-半胱氨酸輔助CuGaS_2微球的溶劑熱合成與表征
• 織構(gòu)化K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3無鉛壓電陶瓷的性能研究
• Mg摻雜濃度對Mg_xZn_(1-x)O薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
• 保定國家高新區(qū)5兆瓦金太陽示范項目提前竣工
• Pr摻雜12CaO·7Al_2O_3陶瓷材料的發(fā)光特性
• Fe/Mo/Al_2O_3催化劑熱解火焰法合成小直徑少壁碳納米管:催化劑焙燒與還原溫度的影響
• 非水解溶膠-凝膠法低溫制備鐵穩(wěn)定鈦酸鋁粉體
• PbTiO_3-CoFe_2O_4復(fù)合薄膜的溶液法制備及其微觀結(jié)構(gòu)研究
• 材料色散對漸變結(jié)構(gòu)一維光子晶體帶隙的影響
• 對TiB_2合成反應(yīng)體系的優(yōu)勢區(qū)相圖疊加分析
• 乙醇/水混合溶劑熱法制備BaHfO_3:Ce超微粒子
• Pr摻雜BiFeO_3粉體的水熱制備方法研究
• 超聲研磨SiC單晶材料去除率與表面特征研究
• 微乳液法制備幾種納米軟磁鐵氧體粉體及磁性能研究
• TiO_2摻雜ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3系低壓壓敏陶瓷的微結(jié)構(gòu)和電性能研究
• 白云石酸浸液氨化制備納米氫氧化鎂的實驗研究
• 多晶硅技術(shù) 單晶硅品質(zhì)
• In摻雜ZnO光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
• 利用EBSD研究C_3S的結(jié)構(gòu)及其納米結(jié)構(gòu)表征計算
• 催化劑膜厚對碳納米管薄膜生長的影響
• 基于磁控濺射離子鍍技術(shù)的不同晶態(tài)純Cr薄膜微觀組織結(jié)構(gòu)研究
• 多晶硅鑄錠誘導(dǎo)吸雜技術(shù)
• 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所在彎折硅納米線陣列材料制備研究方面取得新進(jìn)展
• 大尺寸ZnGeP_2晶體生長與中紅外光參量振蕩
• 《結(jié)構(gòu)陶瓷》新書介紹
• 《人工晶體學(xué)報》征稿簡則