首頁 > 雜志

半導(dǎo)體技術(shù)(2017年01期)
Semiconductor Technology

  • 基本信息
  • 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

    月刊

    1003-353X

  • 13-1109/TN

    河北省石家莊市

    中文;

    大16開

    18-65

    1976

  • 出版信息
  • 信息科技

    無線電電子學(xué)

    8858篇

  • 1723991次

    34868次

  • 評價信息
  • 0.701

    0.402

  • CA 化學(xué)文摘(美)(2024)

    INSPEC 科學(xué)文摘(英)(2024)

    JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)(2024)

    Pж(AJ) 文摘雜志(俄)(2020)

    WJCI 科技期刊世界影響力指數(shù)報(bào)告(2023)來源期刊

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版,2023年版

    Caj-cd規(guī)范獲獎期刊;

目 錄

  • 第12屆國際專用集成電路會議征稿通知
  • 提高GaN功率器件開關(guān)頻率的技術(shù)途徑
  • 變頻和脈沖跳變雙模式控制電荷泵的建模和實(shí)現(xiàn)
  • 795nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
  • 2017年主要欄目設(shè)置
  • 集成式等效低壓二極管
  • GaAs平面摻雜勢壘二極管
  • 氮?dú)饬髁繉Υ趴貫R射AlN薄膜光學(xué)性能的影響
  • 有機(jī)胺堿對硅通孔銅膜化學(xué)機(jī)械拋光的影響
  • 球形CdSe納米晶的制備及其光電性能
  • Al摻雜半導(dǎo)體Mg_2Si薄膜的制備及電學(xué)性質(zhì)
  • 45nm芯片銅互連結(jié)構(gòu)低k介質(zhì)層熱應(yīng)力分析
  • 中國電科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
  • 半導(dǎo)體材料輻射效應(yīng)的表征與分析
  • 一種高效高速的大容量FPGA電路功能驗(yàn)證方法
  • 鋁焊墊俄歇分析中荷電效應(yīng)影響及其降低方法
客服微信二維碼

掃碼添加客服微信

聯(lián)系客服