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半導(dǎo)體技術(shù)(2017年01期)
Semiconductor Technology
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- 基本信息
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:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
:月刊
:1003-353X
- 出版信息
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: 信息科技
: 無線電電子學(xué)
:8858篇
- 評價信息
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:0.701
:0.402
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目 錄
- 第12屆國際專用集成電路會議征稿通知
- 提高GaN功率器件開關(guān)頻率的技術(shù)途徑
- 變頻和脈沖跳變雙模式控制電荷泵的建模和實(shí)現(xiàn)
- 795nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
- 2017年主要欄目設(shè)置
- 集成式等效低壓二極管
- GaAs平面摻雜勢壘二極管
- 氮?dú)饬髁繉Υ趴貫R射AlN薄膜光學(xué)性能的影響
- 有機(jī)胺堿對硅通孔銅膜化學(xué)機(jī)械拋光的影響
- 球形CdSe納米晶的制備及其光電性能
- Al摻雜半導(dǎo)體Mg_2Si薄膜的制備及電學(xué)性質(zhì)
- 45nm芯片銅互連結(jié)構(gòu)低k介質(zhì)層熱應(yīng)力分析
- 中國電科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
- 半導(dǎo)體材料輻射效應(yīng)的表征與分析
- 一種高效高速的大容量FPGA電路功能驗(yàn)證方法
- 鋁焊墊俄歇分析中荷電效應(yīng)影響及其降低方法