干涉寫制技術的代表有駐波干涉技術(SWIT)、全息相干技術(HCT)。1)駐波干涉技術SWIT由K.O.Hill等人[3]首先發(fā)現(xiàn)并實現(xiàn),其光柵寫制裝置及Hill光柵(即FBG)反射光柵譜如圖2-1所示。(1)成柵機制。注入光纖的單頻入射光和從光纖另一端面返回的...[繼續(xù)閱讀]

    掩模寫制技術(MWT)有相位掩模技術(PMT)與振幅掩模技術(AMT)之別。1)相位掩模技術相位掩模技術亦稱相位光柵衍射相干技術,由K.O.Hill等人[8]提出并實現(xiàn),其光柵寫制裝置及FBG光譜如圖2-3所示。圖2-3　相位掩模技術成柵裝置及FBG反射譜(...[繼續(xù)閱讀]

    逐點寫制技術(PPWT)亦稱點點寫入技術,由D.D.Davis等人[10]提出并實現(xiàn),其光柵寫制裝置及利用CO2激光寫制的LPFG光譜如2-5所示。圖2-5　逐點寫制技術成柵裝置及LPFG透射譜(1)成柵機制。將聚焦激光束(如CO2激光或飛秒激光)投射到由精密機構...[繼續(xù)閱讀]

    多次曝光寫制技術是指對光纖寫制區(qū)域進行多次曝光,以實現(xiàn)特殊需求的光纖光柵制作。該技術一般以二次曝光為主。這種技術很適用于制作均勻及非均勻的特種光纖光柵。1)掩模板二次曝光技術該技術要點為:首先,用一不透光擋板沿...[繼續(xù)閱讀]

    變跡曝光寫制技術是指通過控制激光的輸出功率以及曝光區(qū)域(纖芯或包層)的掃描方式,實現(xiàn)對寫制區(qū)域折射率分布的包絡改變。該技術很適用于制作諸如切趾型、Tapered型等非均勻光纖光柵,但曝光光束的輸出功率及掃描速率須精確調...[繼續(xù)閱讀]

    外場作用寫制技術是指在光纖曝光的同時對其施加外場作用(如應力致拉伸或壓縮、壓力致形變或彎曲、力矩致扭曲或纏繞、溫度致膨脹或收縮等),實現(xiàn)對纖芯或包層折射率分布的控制。該技術適用于各種類型的光纖(如單模光纖、多...[繼續(xù)閱讀]

    光纖在線寫制技術屬于全息相干技術與逐點寫制技術的有機組合。在光纖拉制過程且纖芯未包層之前將光柵寫入光纖。改變脈沖激光功率、干涉光束的交角及光纖拉制速度,可靈活地調控光柵參數。該技術對大批量生產光纖光柵及在...[繼續(xù)閱讀]

    采用特種介質對光纖的表面或內部進行周期性的涂覆或者填充處理,可以實現(xiàn)對纖芯或包層折射率分布的靈活控制,設計和研制多種類型的光纖光柵。對于涂覆材料以及填充介質的選擇,則需根據光纖光柵的結構和性質來決定。1)金屬襯...[繼續(xù)閱讀]

    腐蝕拉伸寫制技術是指采用化學腐蝕的方法對光纖進行處理,使其產生具有周期性的凹陷或形變,從而改變光纖的折射率分布并在應力作用下形成光柵。通過控制光纖腐蝕時間和區(qū)域、對光纖軸向施加不同的應力作用,可以調控光柵的...[繼續(xù)閱讀]

    刻槽壓力寫制技術是指利用精密機械加工技術刻制周期性的凹形槽對光纖進行側向施壓,從而產生應力型光纖光柵效應。該技術目前使用較少,一般僅限于實驗室研究,采用機械感生法,可以機械誘導長周期光纖光柵(MI-LPFG),如應力型LP...[繼續(xù)閱讀]